2
CGH40006P Rev 2.2
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive
Durham, North Carolina, USA 27703
USA Tel: +1.919.313.5300
Fax: +1.919.869.2733
www.cree.com/rf
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Absolute Maximum Ratings (not simultaneous) at 25?C Case Temperature
Parameter
Symbol
Rating
Units
Conditions
Drain-Source Voltage
VDSS
84
Volts
25?C
Gate-to-Source Voltage
VGS
-10, +2
Volts
25?C
Storage Temperature
TSTG
-65, +150
?C
Operating Junction Temperature
TJ
225
?C
Maximum Forward Gate Current
IGMAX
2.1
mA
25?C
Maximum Drain Current1
IDMAX
0.75
A
25?C
Soldering Temperature2
TS
245
?C
Thermal Resistance, Junction to Case3
RθJC
9.5
?C/W
85?C
Case Operating Temperature3
TC
-40, +150
?C
30 seconds
Note:
1
Current limit for long term, reliable operation
2
Refer to the Application Note on soldering at
www.cree.com/products/wireless_appnotes.asp
3
Measured for the CGH40006P at P
DISS
= 8 W.
Electrical Characteristics (TC
= 25?C)
Characteristics
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Units
Conditions
DC Characteristics1
Gate Threshold Voltage
VGS(th)
-3.8
-3.0
-2.3
VDC
VDS
= 10 V, I
D
= 2.1 mA
Gate Quiescent Voltage
VGS(Q)
–
-2.7
–
VDC
VDS
= 28 V, I
D
= 100 mA
Saturated Drain Current
IDS
1.7
2.1
–
A
VDS
= 6.0 V, V
GS
= 2.0 V
Drain-Source Breakdown Voltage
VBR
120
–
–
VDC
VGS
= -8 V, I
D
= 2.1 mA
RF Characteristics2
(T
C
= 25
?C, F0
= 2.0 GHz unless otherwise noted)
Small Signal Gain
GSS
11.5
13
–
dB
VDD
= 28 V, I
DQ
= 100 mA
Power Output at PIN
= 32 dBm
POUT
7.0
9
–
W
VDD
= 28 V, I
DQ
= 100 mA
Drain Effciency3
η
53
65
–
%
VDD
= 28 V, I
DQ
= 100 mA,
PIN
= 32 dBm
Output Mismatch Stress
VSWR
–
–
10 : 1
Y
No damage at all phase angles,
VDD
= 28 V, I
DQ
= 100 mA,
PIN
= 32 dBm
Dynamic Characteristics
Input Capacitance
CGS
–
3.0
–
pF
VDS
= 28 V, V
gs
= -8 V, f = 1 MHz
Output Capacitance
CDS
–
1.1
–
pF
VDS
= 28 V, V
gs
= -8 V, f = 1 MHz
Feedback Capacitance
CGD
–
0.1
–
pF
VDS
= 28 V, V
gs
= -8 V, f = 1 MHz
Notes:
1
Measured on wafer prior to packaging.
2 Measured in CGH40006P-TB.
3
Drain Effciency = P
OUT
/ P
DC
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